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IC?耐久性测试

耐久性测试项目（Endurance test items ）Endurance cycling test, Data retention test①周期耐久性测试（Endurance Cycling Test ）

目的: 评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能

Test Method: 将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次

测试条件: 室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1033

②数据保持力测试（Data Retention Test）

目的: 在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失

测试条件: 在高温条件下将数据写入memory 存储单元后，多次读取验证单元中的数据

失效机制：150℃

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：

MIT-STD-883E Method 1008.2

在了解上述的IC测试方法之后，IC的设计制造商就需要根据不用IC产品的性能，用途以及需要测试的目的，选择合适的测试方法，的降低IC测试的时间和成本，从而有效控制IC产品的质量和可靠度。

IC半导体的基础知识(一)

一、物理基础    所有物质按照导电能力的差别可分为导体、半导体和绝缘体三类。半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。或者说，半导体是介于导体和绝缘体之间的物质。常用的半导体材料有：元素半导体硅(Si)和锗(Ge)、化合物半导体(GaAs)等。导体的电阻率在10-4Ω?cm以下，如铜的电阻率为1.67×10-6 Ω?cm，绝缘体的电阻率在1010 Ω?cm以上，半导体的电阻率在10-3Ω?cm～109Ω?cm之间，与导体的电阻率相比较，半导体的电阻率有以下特点。PowerCompiler嵌入DesignCompiler/PhysicalCompiler之上，是业界可以同时优化时序、功耗和面积的综合工具。

1.对温度反映灵敏

导体的电阻率随温度的升高略有升高，如铜的电阻率仅增加0.4%左右，但半导体的电阻率则随温度的上升而急剧下降，如纯锗，温度从20℃上升到30℃时，电阻率降低一半左右。

2.杂质的影响显著

金属中含有少量杂质其电阻率不会发生显著变化，但是，极微量的杂质掺在半导体中，会引起电阻率的极大变化。如在纯硅中加入百万分之一的硼，就可以使硅的电阻率从2.3×105 Ω?cm急剧减少到0.4 Ω?cm左右。

3.光照可以改变电阻率

例如，有些半导体(如)受到光照时，其导电能力会变得很强；当无光照时，又变得像绝缘体那样不导电，利用这种特性可以制成光敏元件。而金属的电阻率则不受光照的影响。

温度、杂质、光照对半导体电阻率的上述控制作用是制作各种半导体器件的物理基础。

数字IC测试

随着Internet的普及,远程教育在我国已有了很大的发展,尤其是CAI课件以及一些教学交互的软件的研究已有相当的程度。然而远程实验的发展却大大落后,这是由于不同领域实验的远程化需要研究不同的实现方法。 在本文中首先阐述了一种高校电子信息类***数字逻辑以及现代可编程器件(FPGA/CPLD)等课程的远程实验系统,在这个系统中使用远程测试(数字IC测试)来实现实实在在的硬件实验,使得这个系统不同于纯软件的。模拟集成电路行业具备以下四大特点：需求端：下游需求分散，产品生命周期较长。 

接着叙述了该实验系统中虚拟实验环境软件和实验服务提供端的数字IC测试系统的设计。虚拟实验环境软件提供一个可灵活配置、形象直观的实验界面,这个界面为使用者提供了实验的感性认识。数字IC测试系统完成实际实验:提供激励并测试响应。本文叙述的数字IC测试系统可对多达96通道的可编程器件进行实验,另外它还作为面向维修的测试仪器,具有在线测试、连线测试、V-I测试、施加上拉电阻、调节门槛比较电平等功能。门电路是半定制数字集成电路的积木（StardardCell），所有的逻辑都将通过它们的实现。