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3GMR/超导复合式磁传感器

磁电阻效应是对于一些磁性材料，当施加外磁场时，材料的电阻会发生变化的效应。这种磁电阻效应次由William Thomson 于1857 年在铁样品中发现。这一发现的材料磁阻变化率很小，只有1%，此效应即被称为各向异性磁电阻(AMR)效应。

1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通过分子束外延的方法制备了Fe/Cr 多层膜，并在其中发现了磁阻变化率达到50%以上。这种巨大的磁电阻变化效应被称为巨磁电阻(GMR)效应。GMR效应来源于载流电子在不同的自旋状态下与磁场的作用不同导致的电阻变化。GMR由铁磁—非磁性金属—铁磁多层膜交叠组成。两层铁磁层的矫顽力不同。当铁磁层的磁矩互相平行时，载流子与自旋有关的散射，材料具有的电阻。而当铁磁层的磁矩为反平行时，载流子与自旋相关的散射强，材料的电阻。在铁磁层磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的电子散射概率相同。对于GMR效应可以由Mott 提出的双电流模型解释。在非磁性层中，不同自旋的电子能带相同，但是在铁磁金属中，不同自旋的能带发生劈裂，导致在费米能级处，自旋向上和向下的电子态密度不同。

在双电流模型中，假设自旋向上和向下的电子沿层面流动对应两个互相独立的导电通道，其中自旋向上的电子，其平均自由程远大于自旋向下的电子。在铁磁层磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的电子散射概率相同；Maxim广泛的硅温度传感器IC支持医学、工业、数据中心及移动等各种应用。而在平行排列下，自旋向上的电子散射要远小于自旋向下的电子，从而造成平行和反平行排列下电阻的差别。

一般将传感器的功能

一般将传感器的功能与人类5大感觉相比拟：

光敏传感器—来—视觉；声敏传感器——听觉；气敏传感器——嗅觉；化学传感器——味觉；压敏、温敏、流体传感器——触觉。

敏感元件的分类：物理类，基于力、热、光、电、磁和声等物理效应。化学类，基于化学反应的原理。生物类，基于酶、、和等分子识自别功能。本文提出了一种基于新型电磁式地下位移传感器组和GPRS无线网络的地下位移自动测量及远程监控方法,设计了水平型(Ⅰ型)和水平-垂直复合型(Ⅱ型)两款电磁式地下位移传感器。通常据其基本感知功能可分为热百敏元件、光敏元件、气敏元件、力敏元件、磁敏元件、湿敏元件、声敏元件、线敏感元件、色敏元件和味敏元件等***类（还有人曾将敏感元件分46类）。

常见的种类有度：电阻式传感器，变频功率传感器，称重传感器，电阻应变式，压阻式传感器，热电阻传感器，激光传感器，霍尔传感器，温度传感器，智能传问感器等。

作用：

在研究自然现象和规律以及生产活动中，我们要获取其中的信息，则需传感器。传感器是获取自然和生产领域中信息的主要途径与手段。在现代工业生产尤其是自动化生产过程中，要用各种传感器来监视和控制生产过程中的各个参数，使设备工作在正常状态或状态，答并使产品达到的质量。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距，从而提高器件的灵敏度。

CMOS图像传感器Ic介绍

CMOS图像传感器Ic又称为互补金属氧化物半导体图像传感器。是一种用传统的半导体芯片工艺方法将光敏元件、放大器、ADC/存储器、数字信号处理器和计算机接口电路集成在一块硅片上的图像传感器。

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CMOS图像传感器的特点：结果简单、成品率高、价格低廉。应用也比较广泛：如网络摄像头、超市、楼宇之间的监控、手机照相、汽车倒车影像、安防。

CMOS图像传感器结构：像素矩阵、模拟信号处理单元、数字信号处理单元、内嵌微控制器、寄存器控制接口、数据输出端口、JPEG压缩