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磁电阻/超导复合式磁传感器原理

磁电阻/超导复合式磁传感器早由D. Robbes等人提出，该类传感器主要由磁电阻传感器和超导磁场放大器构成。其中超导磁场放大器是一个由超导薄膜构成的闭合环路。超导环路中有一段宽度狭窄区域。磁电阻传感器位于超导磁场放大器环路狭窄区域上方并由绝缘层分隔。也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。

对于超导磁场放大器而言，其磁场放大倍数主要由放大器的尺寸和狭窄区域宽度决定。增大超导磁场放大器的尺寸，以及减小狭窄区域的宽度，都会显著增加超导磁场放大器的磁场放大倍数。例如，理论计算表明，当超导磁场放大器直径达到25 mm，狭窄区域宽度为2 μm时，磁场放大倍数将达到3500 倍，而相应的磁电阻/超导复合式磁传感器的磁场探测能力将有望达到1 f，甚至更低的磁场。在铁磁层磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的电子散射概率相同。

磁电阻/超导复合式磁传感器的性能不仅取决于超导磁场放大器的磁场放大能力，同时也取决于磁电阻传感器的灵敏度、噪声等特性。目前在磁电阻传感器领域性能为优异、同时有应用价值及潜力的当属GMR和TMR磁传感器。下面将分别对GMR/超导复合式磁传感器的发展及本课题组在TMR/超导复合式磁传感器制备、测试方面开展的工作进行介绍。近年来,基于随机有限集理论的多传感器多目标跟踪方法开始受到研究学者的关注。

从引脚可以挑选出原装IC吗

可以的，原装ic货的引脚非常整齐且像一条直线，而翻新处理过的则有的脚不整齐且有些歪。凡光亮如“新”的镀锡引脚必为翻新货，正货IC的引脚绝大多数应是所谓“银粉脚”，色泽较暗但成色均匀，表面不应有氧化痕迹或“助焊剂”，另外DIP等插件的引脚不应有擦花的痕迹，即使有（再次包装才会有）擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。临床级温度传感器必须满足ASTME1112标准关于临床测温仪技术规范的精度要求。

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CCD传感器

CCD是应用在摄影摄像方面的技术元件，CMOS则应用于较低影像质量的产品中，它的优点是制构成本较CCD更低，功耗也低得多，这也是市场很多采用USB接口的产品无须外接电源且价钱***的缘由。固然在技术上有较大的不同，但CCD和CMOS两者性能差距不是很大，只是CMOS摄像头对光源的恳求要高一些，但该问题曾经基本得四处理。CCD元件的尺寸多为1/3英寸或者1/4英寸，在相同的分辨率下，宜选择元件尺寸较大的为好。图像传感器又叫感光元件。这一发现的材料磁阻变化率很小，只有1%，此效应即被称为各向异性磁电阻(AMR)效应。