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IGBT的驱动电路特点（二）

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。采用LED恒流电源来给LED灯具供电，由于在电源工作期间都会自动检测和控制流过LED的电流，因而，不用担忧在通电的霎时有过高的电流流过LED，也不用担忧负载短路烧坏电源。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；4、它的电路要求,因为很多时候,要求电路装在一个很小的空间里,以配合LED照明的方便性,所以电路应尽可能的简单,这样也能节约成本、减少能耗。若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

MLCC驱动Ic需求增加

集微网消息，可以说 2017 一整年 MLCC 一直处于缺货状态，受惠于 MLCC 缺货和涨价的趋势，驱动 IC 厂商矽创推出的 HD 以及 FHD 零电容驱动 IC 方案因相对具有成本优势，法人预估 2018 年的出货量将上涨 30% 以上。此外，法人表示，2018 年下半年随着 FHD TDDI 开始出货，虽然初期对营收贡献较低，但长期来看有利于 ASP 的提升。因为GateDriverIC负责每列晶体管的开关，所以又称为RowDriver或ScanDriver。

瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，***从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。

电流线性LED驱动Ic

LED 电流可通过***引脚上的高奥姆电阻轻松调整，IC 供电电压范围介于 6 V 至 42 V 之间。具备智能型过热控制电路设计，可在温度上升时保持恒定电流，提供***的运作效能，并延长 LED 系统寿命。此外，驱动器只会在接面温度变得很高时降低 LED 电流。BCR431U 拥有可低达 1% 等级的调光亮度，对多种 LED 灯条设计极具吸引力。要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够，输出电压也没有这么高，所以需要驱动器抄。

无线充电芯片组成

从结构上看，无线充电发射端芯片主要由驱动芯片、MOS芯片和主芯片三部分组成。单片机方案下，控制芯片、驱动芯片、运放全部独立，外围元件也相当多，总而言之，非常复杂，元器件太多。原材料品种繁多，生产试验流程复杂，不利于产品的快速开发、生产和销售。为了减少在印刷电路板（PrintedCircuitBoard,PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。

即Systemonachip，它是指在一块芯片上集成一个完整系统。当前对SoC方案的一些比较常见的定义是：SoC即主控制和驱动集成。但是也有声音表示这种说法并不准确，主控、驱动、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定义，暂且先以种表述为准。相较之下，BJT的逻辑电路（例如常见的TTL）就没有这些优势。