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宝安区数字ic设计公司免费咨询,电子驱动ic电机驱动

发布时间:2020-09-22 20:37:00        作者:瑞泰威科技







数IC设计产品类型?

对于当今所有的IC设计,DC Ultra 是可以利用的的综合平台。它扩展了DC Expert的功能,包括许多的综合优化算法,让关键路径的分析和优化在的时间内完成。在其中集成的Module Compiler数据通路综合技术, DC Ultra利用同样的VHDL/Verilog流程,能够创造处又快又小的电路。这个步骤就像初步记下建筑的规画,将整体轮廓描绘出来,方便后续制图。

DFT Compiler

DFT Compiler提供的“一遍测试综合”技术和方案。它和Design Compiler 、Physical Compiler系列产品集成在一起的,包含功能强大的扫描式可测性设计分析、综合和验证技术。DFT Compiler可以使设计者在设计流程的前期,很快而且方便的实现高质量的测试分析,确保时序要求和测试覆盖率要求同时得到满足。DFT Compiler同时支持RTL级、门级的扫描测试设计规则的检查,以及给予约束的扫描链插入和优化,同时进行失效覆盖的分析。在所有检查和验证都正确无误的情况下把后的版图GDSⅡ文件传递给Foundry厂进行掩膜制造。

Power Compiler

Power Compiler?Filler的插入(padfliier,cellfiller)。提供简便的功耗优化能力,能够自动将设计的功耗化,提供综合前的功耗预估能力,让设计者可以更好的规划功耗分布,在短时间内完成低功耗设计。Power Compiler嵌入Design Compiler/Physical Compiler之上,是业界可以同时优化时序、功耗和面积的综合工具。




FPGA Compiler II

FPGA Compiler II是一个***于快速开发***FPGA产品的逻辑综合工具,可以根据设计者的约束条件,针对特定的FPGA结构(物理结构)在性能与面积方面对设计进行优化,自动地完成电路的逻辑实现过程,从而大大降低了FPGA设计的复杂度。芯片组,则是一系列相互关联的芯片组合,它们相互依赖,组合在一起能发挥更大的作用,比如计算机里面的处理器和南北桥芯片组,手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。



数字IC设计常用的数制换算?

1、几种常用数制

1.1、十进制

十进制的每一位由0~9十个数码表示,低位和相邻高位之间的关系是“逢十进一”。计数方式:0→1→。。。→9→10→11→。。。→19→20→21→。。。→29→30→31。。。

1.2、二进制

二进制的每一位由0、1表示,低位和相邻高位之间的关系是“逢二进一”。计数方式:0→1→10→11→100→101。。。

1.3、八进制

八进制的每一位由0~7表示,低位和相邻高位之间的关系是“逢八进一”。计数方式:0→1→。。。→7→10→11→。。。→17→20→21→。。。→27→30→31→。。。

1.4、十六进制

十六进制的每一位由0~9、A、B、C、D、E、F十六数码表示,低位和相邻高位之间的关系是“逢十六进一”。计数方式:0→1→.。。。→9→A→B→C→D→E→F→10→11→。。。1F→20→21→。。。→2F→30→31。。。




2、不同数制之间的转换

2.1、二进制与十进制转换

2.1.1 二-十转换

将二进制数的第N位数值乘以第N位的权重,其中第N位的权重为2?(注:m位二进制数从右向左分别记为第0,1,。。。,m-1位,位是第0位,位是第m-1位),然后将相乘的结果按十进制数相加,就可以得到等值的十进制数。

举个栗子:(101)?=1×22+0×21+1×2?=(5)?? ,这个二进制数第2位是1,它的权重是22,相乘为1×22;Scirocco的高度优化的VHDL编译器能产生有效减少所需内存,大大加快了验证的速度,并能够在一台工作站上模拟千万门级电路。位是0,它的权重是21,相乘为0×21;第0位是1,它的权重是2?,相乘为1×2?,后将每一位的乘积按十进制运算相加。




IC?耐久性测试

耐久性测试项目(Endurance test items )Endurance cycling test, Data retention test①周期耐久性测试(Endurance Cycling Test )

目的: 评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能

Test Method: 将数据写入memory的存储单元,在擦除数据,重复这个过程多次

测试条件: 室温,或者更高,每个数据的读写次数达到100k~1000k

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1033




②数据保持力测试(Data Retention Test)

目的: 在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失

测试条件: 在高温条件下将数据写入memory 存储单元后,多次读取验证单元中的数据

失效机制:150℃

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准:

MIT-STD-883E Method 1008.2

在了解上述的IC测试方法之后,IC的设计制造商就需要根据不用IC产品的性能,用途以及需要测试的目的,选择合适的测试方法,的降低IC测试的时间和成本,从而有效控制IC产品的质量和可靠度。


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