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MOSFET为什么要驱动电路

现在市面上实际应用的多是平面工艺的MOSFET，在开关电源等领域应用非常普遍，一般作为百开关管使用。因为采用恒流源驱动，不用在输出电路串联限流电阻，LED过的电流也不受外界电源电压变化、环境温度变化，以及LED参数离散性的影响，从而能坚持电流恒定，充沛发挥LED的各种特性。实际的MOSFET有别于理想的MOSFET，栅极和源度极，源极和漏极都是存在电容的，要用合适的驱动电路才能使MOS管工作在低导通损耗的开关状态。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动能力。

也可以内用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全导通状态，上升和下降时间在辐射容满足要求的情况下，尽量的陡峭。

IGBT的驱动电路特点（二）

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。因为LED显示屏的使用环境千差万别，照度（也就是一般人所说的环境亮度）不一样，所以”对于大多数复杂产品，只要标准中规定了相应的试验方法，则由供方提供一份性能数据（产品信息）一览表比标准中给出具体的性能要求更好”。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

LED显示器驱动器IC在LED显示器发展趋势道路上起着的尤为重要的促进功效,做为一个清洁能源,环保节能是LED显示器***不变的追求,另外也是考虑驱动器IC特性的一个关键规范。

在产品研发全过程中,在合理减少恒流电源转折点工作电压,从而将传统式的9V开关电源减少至3.8V下列的另外,根据提升IC优化算法和设计方案减少驱动器IC实际操作工作电压与实际操作电流量。

LED显示器应用技术及情景持续迭代更新,为驱动器IC产生许多挑戰,LED显示器驱动器IC从技术上现有大提升,才可以助推LED显示器制造行业的优良发展趋势,在未来可能我们一起更为另眼相看。