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复合式磁传感器

弱磁探测技术的发展，归根结底依靠的是磁传感器技术的进步。近年来，随着各种物理效应在磁场测量中的应用，各种弱磁测量的方法已经逐渐趋于完善，而根据不同测量方法，各类磁传感器也应运而生。从霍尔效应磁传感器、磁通门磁传感器、磁电阻传感器到光泵磁强计和超导***干涉器件(SQUID)，磁传感器技术不断的向前发展。一方面，继续减小超导磁场放大器的狭窄区域宽度至1μm以下，同时增大磁场放大器的有效面积都可以将磁场放大倍数继续提升至几千甚至上万倍，但是同时会对传感器的工作区间以及小型化造成影响。这其中，为熟知的探测精度达到fT量级的弱磁传感器当属基于超导约瑟夫森效应的超导***干涉器件。目前，单独的SQUID 器件在低温下灵敏度可以达到0.2—2 pT，而通过加入耦合线圈磁通放大器，在4.2 K灵敏度可以达到10 fT 以下。然而，对于低温超导SQUID 而言，需要昂贵的低温制冷设备(液氦、低温制冷机等)；高温超导SQUID由于超导材料的相干长度短，在约瑟夫森结的制备方面存在困难。这些因素都制约了SQUID的大规模应用。

伴随着科技进步和信息技术的发展，除了灵敏度之外，人们也对磁传感器的尺寸、稳定性、功耗、制备工艺的简单化等提出了越来越高的要求。其中基于磁电阻效应的传感器因其具备高灵敏度、功耗低、体积小、加工技术成熟等优点正在越来越大规模的使用。用有限元分析软件FEMM对磁路进行模拟,从原理上论证了方案的可行性。其中，基于巨磁电阻(GMR)及隧道磁电阻(TMR)效应制备的磁电阻传感器因其饱和磁场较低、单位磁场灵敏度高、温度特性稳定等优点，目前已被广泛用于生产应用中。特别是TMR磁传感器，拥有小型化、低成本、低功耗、高集成性、高相应频率和高灵敏度特性，使其成为未来竞争的制高点。

另一方面，作为高灵敏度传感器而言，GMR和TMR的固有噪声仍然较大，特别是在低频下，传感器存在明显的1/f 噪声。同时应力分析结果表明，传感器能够抵挡1000g的加速度信号的冲击而不被损坏。并且在探测精度方面相比于SQUID、光泵磁力仪等高灵敏度磁传感器仍然有较大差距，这也限制了其在生物磁性、等一些弱磁探测领域的应用。

A1330驱动ic与传统IC比较

A1330器件的双芯片封装版本采用堆叠式封装，与传统的并排式封装技术相比，A1330器件信道间的一致性更好。随着集成技术的发展，人们又将这部分电路及电源等电路也一起装在传感器内部。在安全性非常关键的应用中，需要对两个芯片的输出进行比较，以确保系统的安全运行，这种一致性参数非常重要。A1330的单芯片和双芯片版本均采用扁平型、无铅、8引脚TSSOP封装，引脚框为100％雾锡电镀。

角度传感器Ic应用优势

有许多应用，特别是在汽车系统中，需要以好精度和高可靠性测量物体的水平运动。压电元件支撑于本体上，由膜片将被测压力传递给压电元件，再由压电元件输出与被测压力成一定关系的电信号。一些常见的解决方案基于电位计，LVDT（线性电压差动变压器）和带磁场传感器的磁铁。基于电位计的解决方案易于机械磨损，LVDT大而且昂贵，并且磁铁加传感器解决方案通常精度较低。

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然而，通过使用磁场角度传感器IC代替传统的单轴传感器，几乎消除了与磁铁和传感器解决方案相关的主要误差源，从而实现了低成本，高可靠性和好精度的线性方法滑动位置感应。

传感器CCD和CMOS的主要参数

1. 像元尺寸

像元尺寸指芯片像元阵列上每个像元的实践物理尺寸，通常的尺寸包括14um,10um, 9um , 7um , 6.45um ,3.75um 等。此外，由于IC传感器在生产测试过程中都经过校准，因此没有必要进一步校准。像元尺寸从某种水平上反映了芯片的对光的响应才能，像元尺寸越大，可以接纳到的光子数量越多，在同样的光照条件和曝光时间内产生的电荷数量越多。关于弱光成像而言，像元尺寸是芯片灵活度的一种表征。

2. 灵活度

灵活度是芯片的重要参数之一，它具有两种物理意义。一种指光器件的光电转换才能，与响应率的意义相同。例如，理论计算表明，当超导磁场放大器直径达到25mm，狭窄区域宽度为2μm时，磁场放大倍数将达到3500倍，而相应的磁电阻/超导复合式磁传感器的磁场探测能力将有望达到1f，甚至更低的磁场。即芯片的灵活度指在一定光谱范围内，单位曝光量的输出信号电压（电流），单位能够为纳安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一种是指器件所能传感的对地辐射功率（或照度），与探测率的意义相同，。单位可用瓦（W）或勒克斯（Lux）表示。