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IC?耐久性测试

耐久性测试项目（Endurance test items ）Endurance cycling test, Data retention test①周期耐久性测试（Endurance Cycling Test ）

目的: 评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能

Test Method: 将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次

测试条件: 室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1033

②数据保持力测试（Data Retention Test）

目的: 在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失

测试条件: 在高温条件下将数据写入memory 存储单元后，多次读取验证单元中的数据

失效机制：150℃

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：

MIT-STD-883E Method 1008.2

在了解上述的IC测试方法之后，IC的设计制造商就需要根据不用IC产品的性能，用途以及需要测试的目的，选择合适的测试方法，的降低IC测试的时间和成本，从而有效控制IC产品的质量和可靠度。

数字IC应用验证方真技术研究

应用验证是指导IC元器件在系统中的可靠应用的关键,重点要关注应用系统对器件接口信号的影响,因此无论是采用纯软件还是软硬件协同的方式进行应用验证都需要先完成应用系统的PCB工作。本文提出的应用验证技术方案以基IBIS模型在多个平台进行PCB SI(Signal Integrity)的方式提取出所需的数据,实现对系统应用环境的模拟;在此基础上通过软件和软硬件协同两种方法来实现数字IC器件的应用验证。为保证应用验证的顺利进行,对方案中涉及到的IBIS建模、PCB SI和S参数的提取及等技术进行了研究。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。

提出的应用验证技术方案的指导下,以SRAM的应用验证为例进行了相关的技术探索。首先对IBIS模型建模技术进行了深入研究,并完成了SRAM以及80C32等相关IC器件的IBIS模型建模工作;接着基于IBIS模型进行PCB SI,模拟了SRAM的板级应用环境并提取了应用验证所需的数据;后分别对适用于SRAM的软件平台和软硬件协同平台进行了相关设计,并完成了SRAM的应用验证。通过对SRAM的应用验证,证明了本文所提出的应用验证技术方案的可行性。因为采用的是层次化的应用，假如设计中的某个引脚名字需要修改，我们只能修改驱动这个端口的方法。

数字IC测试

随着Internet的普及,远程教育在我国已有了很大的发展,尤其是CAI课件以及一些教学交互的软件的研究已有相当的程度。然而远程实验的发展却大大落后,这是由于不同领域实验的远程化需要研究不同的实现方法。 在本文中首先阐述了一种高校电子信息类***数字逻辑以及现代可编程器件(FPGA/CPLD)等课程的远程实验系统,在这个系统中使用远程测试(数字IC测试)来实现实实在在的硬件实验,使得这个系统不同于纯软件的。常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、金线焊接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。 

接着叙述了该实验系统中虚拟实验环境软件和实验服务提供端的数字IC测试系统的设计。虚拟实验环境软件提供一个可灵活配置、形象直观的实验界面,这个界面为使用者提供了实验的感性认识。数字IC测试系统完成实际实验:提供激励并测试响应。本文叙述的数字IC测试系统可对多达96通道的可编程器件进行实验,另外它还作为面向维修的测试仪器,具有在线测试、连线测试、V-I测试、施加上拉电阻、调节门槛比较电平等功能。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，whoknows。